Новости
Новая память с кремниевым чипом будет в сто раз быстрее
novostiua.net
Новый тип микросхем памяти на основе кремния может быть в сотни раз быстрее, чем стандартные чипы флэш-памяти, как считают британские ученые.
Исследователи из Университетского колледжа Лондона сообщили в журнале прикладной физики, что они разработали новый вид резистивного чипа памяти (ReRAM).
Чипы памяти ReRAM создаются на основе материалов, чье электрическое сопротивление меняется при подаче напряжения, и они «запоминают» это изменение, даже когда питание выключено.
Эта технология обещает значительное увеличение объемов памяти, чем предоставляют современные технологии, такие как флэш-память, и требуют гораздо меньше энергии и пространства.
Предыдущие прототипы могли работать только в вакууме, однако новые чипы, могут работать в обычных условиях, благодаря чему имеют большой потенциал в применении.
По слова разработчиков, новым чипам ReRAM нужно всего 1/1000 энергии обычных плат памяти, и они в сотни раз быстрее, чем стандартные чипы флэш-памяти.
Как и многие открытия в истории науки, это также является результатом аварии. Команда инженеров работала над изучением возможности использования оксида кремния в производстве кремниевых светоизлучающих диодов, но потом заметили, что их устройства оказались неустойчивыми в результате небольшой аварии в лаборатории.
При проверке электрических свойств материала исследователи обнаружили, что он получил возможность «вспоминать» свое электрическое сопротивление, что привело к разработке нового чипа памяти.
novostiua.net
Другие статьи номера в рубрике Новости:
